Samsung 推出首款 12 奈米 DDR5 記憶體，速度高達 7.2 Gbps 且功耗更低！

Samsung 在周三宣布他們開發了一款全新的 16Gb DDR5 記憶體，速度高達 7200 MT/s (7.2Gbps)，並且是使用 12nm 製程，明年將會使用此製程來量產；同時也通過了 AMD 的兼容性測試。

當然除了速度有了新突破以外，Samsung 這款 12nm DDR5 DRAM 相比於前代，功耗下降了 23 % 。這對於追求環保和低功耗的玩家或企業來說，是一個非常好的選擇。

對於該成果，三星電子DRAM產品和技術執行副總裁Jooyoung Lee表示「我們的 12nm DRAM 將會是推動整個市場接受 DDR5 DRAM 的關鍵。憑藉著在性能和功耗上的卓越表現，我們希望新的 DRAM 能夠成為下一代計算機、數據中心和 AI 系統可持續運營的堅實基礎。」

「創新通常需要與合作夥伴密切合作，以推動技術的發展。我們很高興再次與三星合作，特別是推出在 Zen 平台上經過優化和驗證的 DDR5 內存產品。」AMD 高級副總裁、企業研究員兼客戶和圖形首席技術官 Joe Macri 說。

儘管 Samsung 表示明年將會量產，但尚未給予明確月份，有可能是 2023 CES 展或是 12 月才推出，只能得知 Samsung 未來還會在記憶體這塊持續進步並且和各家廠商合作。

資料來源：tomsHARDWARE